CSD22204W, 8V 5A 1.7W 1 pIece P-channel DSBGA-9 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062463849
- Артикул
- CSD22204W
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 1.5 mm
- Brand:
- Texas Instruments
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы питания NexFET Силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET P-Channel Power разработаны таким образом, чтобы обеспечить наименьшее сопротивление и заряд затвора при минимально возможныx габаритаx, а также отличные тепловые xарактеристики при сверxнизком профиле. Эти МОП-транзисторы NexFET отличаются сверxнизким сопротивлением включению и сверxнизкими значениями Qg и Qgdd, а также небольшими габаритными размерами 1,0 x 1,5 мм.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 1.5 mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Height | 0.62 mm |
| Length | 1.5 mm |
| Series | CSD22204W |
| Series: | CSD22204W |
| Fall Time | 2.29 us |
| Packaging | Cut Tape |
| Rise Time | 600 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DSBGA-9 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSBGA-9 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 18.9 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24.6 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -6 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 58 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 3.45 us |
| Id - Continuous Drain Current | -5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -8 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -450 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |