CSD19538Q2T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 14,4А, 20,2Вт, WSON6, 2х2мм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038617998
- Артикул
- CSD19538Q2T
- Бренд
- Texas Instruments
- Case
- WSON6
- Mounting
- SMD
- Dimensions
- 2x2mm
- Technology
- NexFET™
Цена по запросу
(от 139 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 14,4А, 20,2Вт, WSON6, 2х2мм Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | WSON6 |
| Mounting | SMD |
| Dimensions | 2x2mm |
| Technology | NexFET™ |
| Вес, г | 0.14 |
| Gate charge | 4.3nC |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 14.4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 20.2W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 49mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;20.2W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 454pF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 13.1A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 59mΩ@5A, 10V |