CSD19537Q3, Транзисторы и сборки MOSFET DFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062566767
- Артикул
- CSD19537Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- N Channel
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD19537Q3
- Fall Time:
- 3 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CSD19537Q3 -Канальные МОП-транзисторы питания NexFET™ N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments CSD19537Q3 NexFET™ - это N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ на 100 В и 12,1 Мом, который предназначен для минимизации потерь при преобразовании энергии. Этот МОП-транзистор имеет сверxнизкие значения Qg и Qgd при низком тепловом сопротивлении. Он также имеет лавинообразный режим и поставляется в пластиковой упаковке SON-8 размером 3,3 мм x 3,3 мм, не содержащей свинца и галогенов. Типичные области применения включают изолированные преобразователи на стороне первичной обмотки и управление двигателем. учить больше
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD19537Q3 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.8W |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |