CSD19537Q3, Транзисторы и сборки MOSFET DFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025230795
- Артикул
- CSD19537Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- N Channel
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD19537Q3
- Fall Time:
- 3 ns
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы VSON-8-EP(3.3x3.3) соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD19537Q3 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.8W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14.5mΩ@10V, 10A |