CSD19534Q5AT, MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997280
- Артикул
- CSD19534Q5AT
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- null
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD19534Q5A
- Fall Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 245 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TI N-канал 8-23-12
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD19534Q5A |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.2W;63W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.68nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 44A |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 47 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15.1mΩ@10A, 10V |