CSD19534KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 100А, 118Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025810761
- Артикул
- CSD19534KCS
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD19534KCS
- Fall Time:
- 1 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 207,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD19534KCS |
| Fall Time: | 1 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 2 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1.97 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 118 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 550 |