Микросхема CSD19533KCS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055414824
- Артикул
- CSD19533KCS
- Бренд
- Texas Instruments
- Case
- TO220-3
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD19533KCS
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD19533KCS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 2 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | NexFET™ |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 27nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 100A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 188W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Heatsink thickness | 1.14…1.4mm |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 8.7mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 115 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |