CSD19532KTT, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024195828
- Артикул
- CSD19532KTT
- Бренд
- Texas Instruments
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- Texas Instruments
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 434,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | Texas Instruments |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | CSD19532KTT |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 2 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1.78 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DDPAK/TO-263 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DDPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Process Technology | NexFET |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Typical Fall Time (ns) | 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 3 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 113 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.6 mOhms |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 5.6 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.2 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 2.6 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 17 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 200 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3890@50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5.6@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |