CSD19531Q5AT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 100А, 125Вт, VSONP8, 5x6мм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022464535
- Артикул
- CSD19531Q5AT
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- NexFET Power MOSFET
- Width
- 5mm
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- NexFET
Цена по запросу
(от 282 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 100А, 125Вт, VSONP8, 5x6мм Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | NexFET Power MOSFET |
| Width | 5mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | NexFET |
| Series: | CSD19531Q5A |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.2 ns |
| Rise Time: | 5.8 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.29 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | VSONP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18.4 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 82 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |