CSD19506KTT, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550511
- Артикул
- CSD19506KTT
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- null
- Brand:
- Texas Instruments
- Height:
- 4.7 mm
- Series:
- CSD19506KTT
Цена по запросу
(от 714 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TO-263-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | Texas Instruments |
| Height: | 4.7 mm |
| Series: | CSD19506KTT |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 375W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 156nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 12.2nF@40V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 297 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3mΩ@100A, 10V |