CSD19506KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 375Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070228592
- Артикул
- CSD19506KCS
- Бренд
- Texas Instruments
- Width
- 4.7mm
- Series
- NexFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.98
Цена по запросу
(от 997,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Series | NexFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.98 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.002Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 273 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.002Ом |