CSD19505KTT, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550510
- Артикул
- CSD19505KTT
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 1.2
Цена по запросу
(от 392 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80 В 200 А 3.1mOhm@100A,10В 300 Вт 3.2V@250uA нулевые МОП-транзисторы TO-263-3 СООТВЕТСТВУЮТ требованиям ROHS
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 262 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |