CSD19502Q5BT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 195Вт, VSON-CLIP8 5x6мм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062527313
- Артикул
- CSD19502Q5BT
- Бренд
- Texas Instruments
- Width
- 5.1mm
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- NexFET
- Series:
- CSD19502Q5B
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизкими добротностями и QD и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Width | 5.1mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | NexFET |
| Series: | CSD19502Q5B |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | VSON-CLIP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Pd - Power Dissipation: | 195 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 195 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 88 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 157 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |