CSD18542KCS, Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004329258
- Артикул
- CSD18542KCS
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- CSD18542KCS
- Высота
- 16.51 mm
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 750 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | CSD18542KCS |
| Высота | 16.51 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 21 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 200W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 57nC@10V |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.07nF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 198 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 44mΩ@100A, 10V |