CSD18537NQ5AT, MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997261
- Артикул
- CSD18537NQ5AT
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- NexFET Power MOSFET
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD18537NQ5A
- Fall Time:
- 3.2 ns
Цена по запросу
(от 208,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 75Вт, VSONP8 5x6мм Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | NexFET Power MOSFET |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD18537NQ5A |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Development Kit: | TPS40170EVM-597 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |