CSD18537NQ5A, Транзистор MOSFET TDFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061912070
- Артикул
- CSD18537NQ5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD18537NQ5A
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD18537NQ5A |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 12A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W(Ta), 75W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-VSONP(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.4 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 62 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |