CSD18535KTTT, MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997257
- Артикул
- CSD18535KTTT
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- NexFETв„ў ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 619,52 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60 В 200 А (Ta), 279 А (Tc) 300 Вт (Tc) для поверxностного монтажа DDPAK/TO-263-3
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 8 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Affected |
| Корпус | TO263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-4, DВІPak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | CSD18535 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Supplier Device Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 (1 Year) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6620pF @ 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200A (Ta), 279A (Tc) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |