Моя заявка (0)
CSD18534Q5A, Транзистор MOSFET SON8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017563572
Артикул
CSD18534Q5A
Бренд
Texas Instruments
Type
null
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD18534Q5A
Fall Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 76,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.

Технические параметры

Typenull
Brand:Texas Instruments
Series:CSD18534Q5A
Fall Time:2 ns
Rise Time:5.5 ns
Tradename:NexFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSONP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)60W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:77 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)11.1nC@4.5V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.2 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.77nF@30V
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Continuous Drain Current (Id)55A
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:72 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:750
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10mΩ

Техническая документация