CSD18534KCS TI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072273291
- Артикул
- CSD18534KCS
- Бренд
- Texas Instruments
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-Chnl NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | CSD18534KCS |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 16.51 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | NexFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 2.4 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 2.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.8 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 107000 |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19 10V|9.3 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.2 |
| Время нарастания | 4.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10.4 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 100 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1500 30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.5 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 98 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |