CSD18533Q5A, 60V 17A 3.2W 5.9mOhm@10V,18A 2.3V@250uA N Channel VSONP-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017599132
- Артикул
- CSD18533Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Width
- 5mm
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- NexFET
- Series:
- CSD18533Q5A
Цена по запросу
(от 158,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | NexFET |
| Series: | CSD18533Q5A |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 5.5 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | VSONP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 122 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.9V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.9мОм |