Моя заявка (0)

CSD18532NQ5BT, MOSFETs 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

CSD18532NQ5BT, MOSFETs 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004997249
Артикул
CSD18532NQ5BT
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD18532NQ5B
Fall Time:
2.7 ns
Rise Time:
8.7 ns
Цена по запросу
(от 350,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизкими добротностями и QD и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD18532NQ5B
Fall Time:2.7 ns
Rise Time:8.7 ns
Tradename:NexFET
Вес, г0.13
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:49 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:156 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:140 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В