Моя заявка (0)

CSD18513Q5AT, MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

CSD18513Q5AT, MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006266572
Артикул
CSD18513Q5AT
Бренд
Texas Instruments
Вес, г
0.09
Серия
CSD18513Q5A
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 179,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 40V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.09
СерияCSD18513Q5A
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTexas Instruments
Упаковка / блокVSONP-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора59 nC
Время нарастания12 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности96 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеNexFET
Размер фабричной упаковки250
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.89 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация