CSD18513Q5A, VSONP-8(4.9x5.8) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017658842
- Артикул
- CSD18513Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 4.9 mm
- Brand:
- Texas Instruments
Цена по запросу
(от 107,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 4.9 mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Height | 1 mm |
| Length | 6 mm |
| Series | CSD18513Q5A |
| Series: | CSD18513Q5A |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 12 ns |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSONP-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 59 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 59 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 96 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 19A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Power Dissipation (Max) | 96W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-VSONP(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 124 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Forward Transconductance - Min | 89 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 89 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4280 pF @ 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |