Моя заявка (0)

CSD18512Q5BT, MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044002410
Артикул
CSD18512Q5BT
Бренд
Texas Instruments
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 271,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 40 В 211А (Tc) 139 Вт (Tc) для поверxностного монтажа с 8-контактным зажимом (5x6)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)139W(Tc)
Supplier Device Package8-VSON-CLIP(5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7120 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C211A(Tc)