CSD18512Q5B, Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002272541
- Артикул
- CSD18512Q5B
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- CSD18512Q5B
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 270 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | CSD18512Q5B |
| Series: | CSD18512Q5B |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 16 ns |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-Clip-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 98 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 139 W |
| Power Dissipation (Pd) | 139W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Power Dissipation (Max) | 139W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-VSON-CLIP(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.12nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 211A |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Forward Transconductance - Min | 136 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 136 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhm |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7120 pF @ 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 211A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6mΩ@30A, 10V |