CSD18509Q5BT, MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997233
- Артикул
- CSD18509Q5BT
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD18509Q5B
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 19 ns
Цена по запросу
(от 399 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы VSON-CLIP-8(6x5) соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD18509Q5B |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 195 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 180 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 195 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |