CSD18503Q5A, 40V 19A 4.7mOhm@4.5V,22A 3.1W 1.8V 1 N-channel SON-8(5x6) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061918360
- Артикул
- CSD18503Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- No
- Brand
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- CSD18503Q5A
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CSD1850xQ5A 40 В N-канальные полевые транзисторы NexFET Устройства Texas Instruments CSD1850xQ5A представляют собой 40-вольтовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET, предназначенные для минимизации потерь при преобразовании энергии. TI CSD18501Q5A имеет R DS (ВКЛ.) Max @ VGS =4,5 В при 4,3 Мом и R DS (ВКЛ.) Max @ VGS=10 В при 3,2 Мом, в то время как CSD18503Q5A имеет R DS (ВКЛ.) Max @ VGS=4,5 В при 6,2Мом и R DS (ВКЛ.) Max @ VGS=10 В при 4,3Мом. CSD18504Q5A имеет R DS (ВКЛ.) Max при напряжении VGS=4,5 В при 9,8Мом и R DS (ВКЛ.) Max при напряжении VGS=10 В при 6,6Мом. Силовые МОП-транзисторы Texas Instruments CSD1850xQ5A на 40 В с N-канальным транзистором NexFET идеально подxодят для преобразования постоянного тока в постоянный, синxронного выпрямителя на стороне вторичной обмотки и управления двигателем от аккумулятора.
Технические параметры
| RoHS | No |
| Brand | Texas Instruments |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | CSD18503Q5A |
| Series: | CSD18503Q5A |
| Fall Time | 2.6 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 8.8 ns |
| Fall Time: | 2.6 ns |
| Rise Time: | 8.8 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 32 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Pd - Power Dissipation | 120 W |
| Pd - Power Dissipation: | 120 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 121 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 100 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 121 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.4 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |