Моя заявка (0)
CSD18503KCS, MOSFETs 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018684241
Артикул
CSD18503KCS
Бренд
Texas Instruments
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 227,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 40 В 100 А (Tc) 188 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-220-3

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 75A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)188W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3150 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В