Моя заявка (0)

CSD18502Q5BT, MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

CSD18502Q5BT, MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004997227
Артикул
CSD18502Q5BT
Бренд
Texas Instruments
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Brand:
Texas Instruments
Series
NexFETв„ў ->
Цена по запросу
(от 680 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизкими добротностями и QD и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Brand:Texas Instruments
SeriesNexFETв„ў ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Series:CSD18502Q5B
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±20V
Fall Time:4 ns
Rise Time:6.8 ns
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Tradename:NexFET
Вес, г0.12
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:Si
REACH StatusREACH Affected
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / Case8-PowerTDFN
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:52 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberCSD18502 ->
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 30A, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:156 W
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 156W (Tc)
Supplier Device Package8-VSON-CLIP (5x6)
Manufacturer Product Pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.3 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 4.5V
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:143 S
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Rds On - Drain-Source Resistance:2.3 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5070pF @ 20V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C100A (Ta)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:250
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт156
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В