CSD17585F5, 30V 5.9A 500mW 27mOhm@10V,900mA 1.7V@250uA N Channel PIcoStar-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017606887
- Артикул
- CSD17585F5
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17585F5
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- 20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17585F5 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | 20V |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.1 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 900mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.1nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 380pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 27mΩ@10V, 900mA |