Моя заявка (0)

CSD17581Q5AT, MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A

CSD17581Q5AT, MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004997223
Артикул
CSD17581Q5AT
Бренд
Texas Instruments
Вес, г
2.3
Длина
6 mm
Серия
CSD17581Q5A
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 160,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V, N-Ch NexFET Power МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г2.3
Длина6 mm
СерияCSD17581Q5A
Высота1 mm
Ширина4.9 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTexas Instruments
Упаковка / блокVSONP-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора54 nC
Время нарастания21 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки60 A
Коммерческое обозначениеNexFET
Размер фабричной упаковки250
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.85 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация