CSD17577Q5A, МОП-Транзистор SON-8(6x5) MOSFET транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017627081
- Артикул
- CSD17577Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 4.9 mm
- Brand:
- Texas Instruments
Цена по запросу
(от 75,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 4.9 mm |
| Brand: | Texas Instruments |
| Height | 1 mm |
| Length | 6 mm |
| Series | CSD17577Q5 |
| Series: | CSD17577Q5A |
| Fall Time | 2 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Rise Time | 12 ns |
| Tradename | NexFET |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.34 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSONP-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 27 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Pd - Power Dissipation | 53 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 83 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 79 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.8 mOhm |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |