CSD17577Q3AT, Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002189592
- Артикул
- CSD17577Q3AT
- Бренд
- Texas Instruments
- Case
- VSONP8
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17577Q3
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Case | VSONP8 |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17577Q3 |
| Mounting | SMD |
| Dimensions | 3.3x3.3mm |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 31 ns |
| Technology | NexFET™ |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 12nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 35A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 53W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 5.3mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |