CSD17577Q3A, 30V 35A 4.8mOhm@10V,16A 2.8W 1.8V@250uA N Channel VSONP-8(3.1x3.1) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017606805
- Артикул
- CSD17577Q3A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17577Q3A
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 63,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17577Q3A |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 31 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Supplier Package | VSONP EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Process Technology | NexFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 83 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 76 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 13@4.5VI27@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1.8 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 35 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1780@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 4.8@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |