Моя заявка (0)

CSD17576Q5BT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 100А, 125Вт, VSON-CLIP8, 5x6мм

CSD17576Q5BT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 100А, 125Вт, VSON-CLIP8, 5x6мм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043008487
Артикул
CSD17576Q5BT
Бренд
Texas Instruments
Case
VSON-CLIP8
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD17576Q5B
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 420 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 100А, 125Вт, VSON-CLIP8, 5x6мм Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseVSON-CLIP8
Brand:Texas Instruments
Series:CSD17576Q5B
MountingSMD
Dimensions5x6mm
Fall Time:3 ns
Rise Time:16 ns
TechnologyNexFET™
Tradename:NexFET
Вес, г0.18
Gate charge25nC
Technology:Si
ManufacturerTEXAS INSTRUMENTS
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current100A
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation125W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:68 nC
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance2.4mΩ
Drain-source voltage30V
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:120 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:250

Техническая документация