CSD17575Q3T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 60А, 108Вт, NexFET™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538024
- Артикул
- CSD17575Q3T
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17575Q3
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 148 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17575Q3 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package/Case: | VSON-CLIP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 108 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 118 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 108 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.6 mOhms |