CSD17575Q3, VSON-CLIP-8(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017630889
- Артикул
- CSD17575Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 3.3 mm
Цена по запросу
(от 178 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30-вольтовый, N-канальный МОП-транзистор NexFET™, одиночный SON 3 мм x 3 мм, 3,2 Мом, 8-канальный MOSFET-CLIP - от 55 до 150
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 3.3 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3.3 mm |
| Series | NexFET |
| Fall Time | 3 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 10 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.24 |
| Unit Weight | 0.000847 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Package Type | VSONP |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-Clip-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 23 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Pd - Power Dissipation | 108 W |
| Power Dissipation (Pd) | 2.8W;108W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.42nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 118 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2300000 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.6 mOhm |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3mΩ@25A, 10V |