CSD17573Q5BT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 100А, 195Вт, VSON-CLIP8 5x6мм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043008475
- Артикул
- CSD17573Q5BT
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17573Q5B
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 216 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17573Q5B |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.0917 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 195 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 181 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.19 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 195 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |