CSD17571Q2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,6А; 2,5Вт; WSON6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017547294
- Артикул
- CSD17571Q2
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Series
- CSD17571Q2
- Fall Time
- 26 ns
Цена по запросу
(от 27,67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, одиночный SON 2 мм x 2 мм, 29 Мом, 6-WSON - от 55 до 150
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Series | CSD17571Q2 |
| Fall Time | 26 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 19 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | WSON-FET-6 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2.4 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 39 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 43 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |