Моя заявка (0)

CSD17570Q5BT, MOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET A 595-CSD17570Q5B A A 595-CSD17570Q5B

CSD17570Q5BT, MOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET A 595-CSD17570Q5B A A 595-CSD17570Q5B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004997211
Артикул
CSD17570Q5BT
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD17570Q5B
Tradename:
NexFET
Вес, г
0.13
Цена по запросу
(от 346,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD17570Q5B
Tradename:NexFET
Вес, г0.13
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:93 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:740 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:250
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В