CSD17570Q5B, TSON-8-EP(6x5) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052828429
- Артикул
- CSD17570Q5B
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17570Q5B
- Tradename:
- NexFET
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 266,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17570Q5B |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 93 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 740 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |