CSD17559Q5T, MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018696136
- Артикул
- CSD17559Q5T
- Бренд
- Texas Instruments
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 453 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 30 В 100 А (Ta), 3,2 Вт (Ta), 96 Вт (Tc) для поверxностного монтажа, 8-VSON-ЗАЖИМ (5x6)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 40A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W(Ta), 96W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-VSON-CLIP(5x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9200 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Ta) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |