CSD17527Q5A, VSONP-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062510710
- Артикул
- CSD17527Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17527Q5A
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17527Q5A |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Rise Time: | 8.2 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Supplier Package | VSONP EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Process Technology | NexFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.8 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 2.8@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.8 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 13 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 422@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10.8@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |