CSD17522Q5A, MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005467032
- Артикул
- CSD17522Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.08
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 152,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Texas Instruments обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам повысить эффективность питания на 90% при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |