Моя заявка (0)

CSD17510Q5A, MOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A

CSD17510Q5A, MOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004997206
Артикул
CSD17510Q5A
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD17510Q5A
Tradename:
NexFET
Вес, г
61
Цена по запросу
(от 139,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD17510Q5A
Tradename:NexFET
Вес, г61
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSONP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:59 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе1.8V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.2mΩ@18A, 10V