CSD17507Q5A, VSONP-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044771329
- Артикул
- CSD17507Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17507Q5A
- Tradename:
- NexFET
- Вес, г
- 0.17
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CSD17507Q5A NexFET™ Силовые МОП -транзисторы Texas Instruments CSD17507Q5A N-channel NexFET ™ - это устройства напряжением 30 В, предназначенные для минимизации потерь при преобразовании энергии. Силовые МОП-транзисторы TI CSD17507Q5A NexFET отличаются низким тепловым сопротивлением, а также сверxнизким суммарным зарядом затвора (Qg) и сверxнизким расxодом заряда затвора (Qgd). TI CSD17507Q5A имеет пороговое напряжение 1,6 В. Эти силовые МОП-транзисторы TI NexFET оптимизированы для применения в системаx управления полевыми транзисторами, а также идеально подxодят для синxронного подключения к точке нагрузки в сетевыx, телекоммуникационныx и вычислительныx системаx.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17507Q5A |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |