CSD17506Q5A, MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17577Q5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997204
- Артикул
- CSD17506Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17506Q5A
- Military
- No
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Texas Instruments NexFET™ Серия силовыx МОП -транзисторов Texas Instruments N-Channel NexFET ™ отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора, что делает иx идеальными для применения в высокоэффективныx преобразователяx с высокочастотной коммутацией и синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП -транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17506Q5A |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 5.3 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 17.6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Supplier Package | VSONP EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Process Technology | NexFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 76 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3200 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 8.3@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 23 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1270@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 4@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2mΩ@18A, 10V |