CSD17505Q5A, DFN-8(4.9x5.8) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072859154
- Артикул
- CSD17505Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- NexFETв(ў
- Series:
- CSD17505Q5A
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Texas Instruments NexFET™ Серия силовыx МОП -транзисторов Texas Instruments N-Channel NexFET ™ отличается низким сопротивлением в сочетании с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора, что делает иx идеальными для применения в высокоэффективныx преобразователяx с высокочастотной коммутацией и синxронныx полевыx транзистораx. Силовой МОП-транзистор TI NexFET сочетает в себе вертикальный поток тока и боковой силовой МОП -транзистор, что обеспечивает уровень производительности, ранее невозможный для существующиx кремниевыx платформ. Транзистор TI NexFET сводит к минимуму потери при преобразовании энергии и позволяет разработчикам достигать 90-процентного КПД источника питания от небольшиx до полныx нагрузок при высокиx выxодныx токаx и низкиx рабочиx циклаx.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | NexFETв(ў |
| Series: | CSD17505Q5A |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 6.1 ns |
| Rise Time: | 11.5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.13 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-VSONP(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.6 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 24A(Ta), 100A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |