CSD17501Q5A, DFN-8(4.9x5.8) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066352064
- Артикул
- CSD17501Q5A
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD17501Q5A
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизкими добротностями и QD и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD17501Q5A |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 7.9 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.29 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.2 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 25A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-VSONP(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.4 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 110 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.9 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2630 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |