Моя заявка (0)
CSD17484F4, PicoStar-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017658852
Артикул
CSD17484F4
Бренд
Texas Instruments
Series
NexFET
Pin Count
8
Вес, г
0.06
Длина
1 mm
Цена по запросу
(от 51,02 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

SeriesNexFET
Pin Count8
Вес, г0.06
Длина1 mm
СерияCSD17484F4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeVSONP
Высота0.2 mm
Ширина0.6 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаTexas Instruments
Упаковка / блокPICOSTAR-3
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage0.65V
Qg - заряд затвора920 pC
Maximum Drain Source Resistance128000000 Ω
Время нарастания1 ns
Maximum Continuous Drain Current3 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW
Id - непрерывный ток утечки3 A
Крутизна характеристики, S4 S
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток128 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе1.2V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения11 ns
Типичное время задержки при включении3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток650 mV
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В650 mV
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)128 mOhms

Техническая документация